อินเทล ร่วมมือกับบริษัทลูกของโซฟต์แบงค์ พัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำรุ่นใหม่ที่รองรับ AI และ HPC

ในไตรมาสที่ 1 ของปี 2026, อินเทล (INTC-US) ได้ประกาศความร่วมมือกับ SAiMEMORY ซึ่งเป็นบริษัทย่อยของกลุ่มโซฟต์แบงค์ ในการพัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำรุ่นใหม่ Z-Angle Memory (ZAM) ที่ออกแบบมาเพื่อตอบสนองความต้องการของ AI และ HPC คาดว่าจะมีผลิตภัณฑ์แบบพิมพ์เขียวในปี 2027 และเริ่มการค้าในปี 2030。

SAiMEMORY ที่ตั้งอยู่ที่โตเกียว ญี่ปุ่น ได้พัฒนาสถาปัตยกรรม DRAM ที่สามารถวางซ้อน ที่ล้ำหน้ากว่ามาตรฐาน HBM ปัจจุบัน นวัตกรรมนี้เพิ่มความจุหน่วยความจำอย่างมาก ลดการใช้พลังงาน และเพิ่มความสามารถในการจัดการ ซึ่งช่วยแก้ไขปัญหาการขยายตัวของระบบ AI ที่เป็นข้อจำกัด ด้วยความร่วมมือของอินเทล ผู้เชี่ยวชาญด้านเทคโนโลยี นวัตกรรม และการกำหนดมาตรฐาน ได้ส่งมอบความรู้ทางเทคนิค NGDB เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพและลดการใช้พลังงาน ขณะที่ SAiMEMORY จะเป็นผู้นำในการพาโครงการ ZAM ไปสู่การค้า สร้างบนพื้นฐานของโครงการวิจัยเทคโนโลยีหน่วยความจำที่ก้าวหน้า (AMT) ซึ่งได้รับการสนับสนุนจากสำนักงานพลังงานของสหรัฐฯ สำนักงานความมั่นคงนิวเคลียร์ และสถาบันวิจัยระดับชาติ ได้แก่ Sandia National Laboratory, Lawrence Livermore National Laboratory และ Los Alamos National Laboratory