อินฟินีออนทุ่ม 1.1 พันล้านยูโรสร้างฐานผลิต GaN 300 มม.แห่งแรกของโลกที่ฟิลลาค

อินฟินีออน เทคโนโลยีส์ (IFNNY) ประกาศเมื่อวันที่ 27 ตุลาคมว่าจะสร้างฐานการผลิตจำนวนมากสำหรับเซมิคอนดักเตอร์กำลัง GaN ขนาด 300 มิลลิเมตร (12 นิ้ว) แห่งแรกของโลกที่โรงงานในเมืองฟิลลาค ประเทศออสเตรีย โดยจะลงทุนประมาณ 1.1 พันล้านยูโร (ประมาณ 1.23 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ) ไปจนถึงปี 2034 และคาดว่าจะเริ่มการผลิตได้ในช่วงปลายปี 2027

คณะกรรมาธิการยุโรปได้อนุมัติความช่วยเหลือจากรัฐจำนวน 319 ล้านยูโรภายใต้กรอบ European Chips Act แล้ว แต่ยังต้องรอการยืนยันอย่างเป็นทางการจากหน่วยงานออสเตรีย โครงการนี้เป็นการอัปเกรดโครงสร้างพื้นฐานห้องคลีนรูมที่มีอยู่เดิม ไม่ใช่การสร้างโรงงานใหม่

โรงงานฟิลลาคมีพนักงานประมาณ 4,800 คน และผลิตเวเฟอร์ GaN ขนาด 200 มม.อยู่แล้ว เวเฟอร์ขนาด 300 มม.ให้จำนวนชิปต่อแผ่นมากกว่าประมาณ 2.3 เท่า ซึ่งอาจช่วยลดต้นทุนต่อชิปได้ แต่อยู่กับอัตราผลผลิตและการใช้กำลังการผลิต อินฟินีออนผลิตเวเฟอร์ GaN ขนาด 300 มม.แผ่นแรกได้ในปี 2024

ข้อมูลจาก Yole Group ระบุว่าตลาดอุปกรณ์กำลัง GaN ทั่วโลกมีมูลค่าประมาณ 588 ล้านดอลลาร์สหรัฐในปี 2025 เพิ่มขึ้น 63% จาก 361 ล้านดอลลาร์สหรัฐในปี 2024 โดย Innoscience เป็นผู้นำด้วยส่วนแบ่งประมาณ 31% ส่วนอินฟินีออนอยู่อันดับสองที่ประมาณ 16% ขยับขึ้นจากอันดับห้าที่ 11.2% ในปี 2024