Intel และ 3DGS ทุ่มงบ 3.3 พันล้านดอลลาร์ สร้างโรงงานซับสเตรตกระจกในอินเดีย

เมื่อวันที่ 31 พฤษภาคม 2026 รัฐบาลอินเดียประกาศว่า Intel Corp. (INTC) และบริษัท 3D Glass Solutions ของสหรัฐฯ จะลงทุน 3.3 พันล้านดอลลาร์ เพื่อสร้างโรงงานซับสเตรตเซมิคอนดักเตอร์ในรัฐโอริสสา โรงงานนี้คาดว่าจะใช้เวลาก่อสร้าง 5-6 ปี ผลิตซับสเตรตกระจกสำหรับการบรรจุภัณฑ์ขั้นสูง โดยได้รับเงินอุดหนุนจำนวนมากและสร้างงานกว่า 1,800 ตำแหน่ง

โรงงานในโอริสสาตั้งเป้ากำลังการผลิตต่อปี 50 ล้านหน่วยบรรจุภัณฑ์ 3D แบบกระจก การเคลื่อนไหวครั้งนี้เร่งการแข่งขันเพื่อนำซับสเตรตกระจกไปใช้เชิงพาณิชย์สำหรับ AI และ HPC นอกจากนี้ Intel ยังมีแผนเปลี่ยนโรงงานในริโอแรนโช นิวเม็กซิโก ให้เป็นโรงงานผลิตซับสเตรตกระจกเชิงปริมาณแห่งแรก โดยเสริมไลน์นำร่องที่แชนด์เลอร์ รัฐแอริโซนา พร้อมสั่งซื้อวัสดุมูลค่าหลายล้านล้านวอน

คู่แข่งก็ไม่ยอมหยุด: TSMC (2330) เตรียมเริ่มไลน์นำร่อง CoPoS ในปีนี้ และผลิตเชิงปริมาณภายในสิ้นปี 2028 ซึ่งอาจรองรับ Nvidia (NVDA); Samsung Electro-Mechanics ตั้งเป้าปี 2027 ทาง SEMI มองว่าตลาดซับสเตรตกระจกจะเติบโตด้วย CAGR 67.2% ในช่วงปี 2028-2040