Micron ปฏิเสธสถาปัตยกรรม DRAM 4F² เดินหน้า 6F² สู่ 3D DRAM

Scott DeBoer ประธานและ CTO ของ Micron Technology (MU) กล่าวในงานสัมมนาทางเทคนิคเมื่อวันที่ 21 ตุลาคมว่า บริษัทจะไม่นำสถาปัตยกรรม DRAM 4F² ที่ CXMT ของจีนกำลังพัฒนามาใช้ แต่จะคงการออกแบบ 6F² ไว้และก้าวไปสู่ 3D DRAM โดยตรง

Cao Kanyu ประธานของ CXMT (688825-CN) เปิดเผยเมื่อวันที่ 10 ตุลาคมว่า บริษัทวางแผนที่จะเปิดตัว DDR5 RDIMM รุ่นถัดไปบนสถาปัตยกรรม 4F² ภายในสิ้นปีนี้ ซึ่งจะลดพื้นที่ชิปได้ประมาณ 30% เมื่อเทียบกับ 6F² ทั่วไป และเพิ่มผลผลิตต่อเวเฟอร์

DeBoer กล่าวว่า ระยะห่างของตัวเก็บประจุ (capacitor pitch) ไม่ใช่โครงสร้างทรานซิสเตอร์ ที่เป็นตัวกำหนดว่าการเพิ่มความหนาแน่นและผลตอบแทนด้านต้นทุนจะยังคงอยู่หรือไม่ นักวิเคราะห์จาก UBS ตั้งข้อสังเกตว่า Micron กังวลเกี่ยวกับเส้นทางการลดขนาดที่จำกัดของทรานซิสเตอร์แบบ vertical-channel ขณะที่ Melissa Weathers จาก Deutsche Bank กล่าวว่า Micron ประเมิน 4F² มานานหลายทศวรรษและสร้างต้นแบบก่อนที่จะปฏิเสธ

มีรายงานว่า Samsung (005930KS) กำลังพิจารณาการนำ 4F² มาใช้ที่โหนด 0a นาโนเมตรภายในปลายปี 2028 Nomura คาดว่า 4F² หรือ 3D DRAM จะไม่มีผลกระทบอย่างมีนัยสำคัญก่อนปี 2028 และคาดการณ์ว่า CXMT จะผลิตเชิงพาณิชย์ในปี 2027-2028 ข้อมูลจาก TrendForce แสดงให้เห็นว่าการเติบโตของราคาสัญญา DRAM ทั่วไปชะลอตัวลงเหลือประมาณ 10%-15% ในไตรมาสที่สี่ จาก 93%-98% ในไตรมาสแรกของปี 2026