Micron พัฒนา HBM แนวตั้ง เล็งผลิตปี 2028 เผชิญข้อจำกัดด้านการระบายความร้อน

Micron Technology (MU) กำลังพัฒนาหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูงแบบแนวตั้ง (vHBM) ซึ่งเป็นการวางซ้อน DRAM โดยตรงบนโปรเซสเซอร์เพื่อลดเส้นทางข้อมูลระหว่างหน่วยความจำและหน่วยประมวลผล โดยมีเป้าหมายการผลิตจำนวนมากในปี 2028 ตามแผนงานเทคโนโลยีของบริษัทที่นำเสนอในเว็บบินาร์เมื่อเร็วๆ นี้

สถาปัตยกรรมนี้สัญญาว่าจะให้แบนด์วิดท์ที่สูงขึ้นสำหรับงาน AI inference แต่ก็ขัดขวางการระบายความร้อนของโปรเซสเซอร์ ซึ่งเป็นข้อแลกเปลี่ยนที่ Karl Ackerman นักวิเคราะห์อาวุโสจาก BNP Paribas กล่าวว่าอาจจำกัดการใช้งาน เขาคาดว่า vHBM จะถูกใช้ร่วมกับ HBM แบบเดิมที่ใช้ interposer มากกว่าจะแทนที่ โดยผู้ผลิตระบบจะเลือกการกำหนดค่าตามความต้องการแบนด์วิดท์ ขีดจำกัดด้านความร้อน และความซับซ้อนของบรรจุภัณฑ์

แผนงานของ Micron ขยายไปถึง HBM6 ภายในปี 2030 และรวมถึง vEIM ซึ่งเป็นการวางซ้อนหน่วยความจำ LPDDR พลังงานต่ำบนชิปLogic ของอุปกรณ์ Edge โดยมีเป้าหมายแบนด์วิดท์ 2TB ต่อวินาทีที่น้อยกว่า 1 พิโคจูลต่อบิต และกำหนดการผลิตในปี 2028 เช่นกัน ผลประกอบการระยะใกล้ยังคงขับเคลื่อนโดย HBM, DRAM สำหรับเซิร์ฟเวอร์ และ SSD ระดับองค์กร โดย Ackerman ตั้งข้อสังเกตว่า Micron คาดว่าความตึงตัวของอุปทานจะยังคงอยู่ต่อไปอย่างน้อยอีกสองปี