ซัมซุง-เอสเค ไฮนิกซ์ อัปเกรดโรงงานจีนผลิตชิป NAND ขั้นสูง

แหล่งข่าวสี่รายเปิดเผยว่า ซัมซุง อิเล็กทรอนิกส์ และเอสเค ไฮนิกซ์ กำลังอัปเกรดโรงงานในจีนเพื่อผลิตชิปหน่วยความจำ NAND ขั้นสูงขึ้น โดยมีเป้าหมายเพื่อรับมือการแข่งขันจากวายเอ็มทีซีของจีน และตอบสนองความต้องการที่ขับเคลื่อนด้วย AI

แหล่งข่าวรายหนึ่งกล่าวว่า โรงงานของซัมซุงในเมืองซีอาน ซึ่งคิดเป็นประมาณ 40% ของกำลังการผลิต NAND ทั่วโลก กำลังเปลี่ยนไปผลิตชิป V9 จำนวน 286 ชั้น ภายใต้โครงการที่ใช้ชื่อภายในว่า “โมนามี” โดยตั้งเป้าผลิต 5,000 เวเฟอร์ต่อเดือนในเดือนธันวาคม และ 40,000 เวเฟอร์ภายในเดือนธันวาคม 2027 ขณะที่เอสเค ไฮนิกซ์ วางแผนผลิต NAND 240 ชั้นขึ้นไปที่โรงงานต้าเหลียน จากปัจจุบันที่ 192 ชั้น

ทั้งสองบริษัทจำเป็นต้องได้รับใบอนุญาตจากสหรัฐฯ เป็นรายปีเพื่อติดตั้งอุปกรณ์ที่ผลิตในสหรัฐฯ ในจีน และสำนักงานอุตสาหกรรมและความมั่นคงของกระทรวงพาณิชย์สหรัฐฯ ระบุในปี 2025 ว่าไม่มีความตั้งใจที่จะออกใบอนุญาตสำหรับการอัปเกรดเทคโนโลยีหรือการขยายกำลังการผลิต ซัมซุงกล่าวว่าการอัปเกรดครั้งนี้สอดคล้องกับกฎระเบียบการส่งออกของสหรัฐฯ และไม่ได้ขยายกำลังการผลิต

ข้อมูลจาก Omdia ระบุว่า วายเอ็มทีซี ครองส่วนแบ่งตลาด NAND ในจีนถึง 38.5% ในไตรมาสสอง แซงหน้าซัมซุงที่มีส่วนแบ่งลดลงเหลือ 33.5% ขณะที่เอสเค ไฮนิกซ์ มีส่วนแบ่งลดลงเหลือ 17%