บรรจุภัณฑ์ขั้นสูงกลายเป็นคอขวดชิป AI: TSMC CoWoS-L นำหน้า Intel EMIB-T ถึงปี 2028

บรรจุภัณฑ์ขั้นสูงกลายเป็นจุดยุทธศาสตร์ในการแข่งขันชิป AI โดย TrendForce ระบุว่า CoWoS-L ของ TSMC จะยังคงเป็นโซลูชันหลักสำหรับตัวเร่ง AI ไปจนถึงปี 2028 แม้ Intel จะผลักดัน EMIB-T ทางเลือกก็ตาม

ซิลิคอนอินเทอร์โพเซอร์ CoWoS ของ TSMC เติบโตจากประมาณ 1.5 เท่าของขนาดเรติเคิล (ราว 1,287 ตร.มม.) ในปี 2016 เป็น 3.3 เท่า (ราว 2,831 ตร.มม.) ในปัจจุบัน บริษัทวางแผน 5.5 เท่า (ราว 4,719 ตร.มม.) ในปี 2026, 9.5 เท่าในปี 2028 และมากกว่า 14 เท่าภายในปี 2029 ขณะที่ CoWoS-L ซึ่งฝังบริดจ์ซิลิคอนเชื่อมต่อภายในเรดิสรีบิวชันเลเยอร์ ผลิตจำนวนมากที่ 5.5 เท่าเรติเคิลแล้ว โดยลูกค้ามีอัตราผลผลิตเกิน 98% และบางรายแตะ 99%

Nvidia และ AMD ใช้ CoWoS-L แล้ว ส่วน MTIA 400 ของ Meta มีกำหนดผลิตในปี 2026 ขณะที่ ASIC ลูกค้าของ AWS และ Microsoft คาดว่าจะตามมาในปี 2027 สำหรับ EMIB-T ของ Intel ซึ่งเพิ่ม TSV และตัดอินเทอร์โพเซอร์ขนาดใหญ่ที่แพงออก แสดงให้เห็นระยะพิทช์บัมพ์ 25 ไมครอนและขนาดแพ็กเกจ 120x120 มม. ในงาน ECTC 2026 TrendForce คาด Google จะใช้ EMIB-T ในปี 2027 ส่วน AWS อยู่ระหว่างทดสอบ