Startup Mỹ Substrate trình làng công nghệ in thạch bản tia X, chi phí chỉ bằng một phần mười thiết bị ASML (ASML-US), lên kế hoạch cạnh tranh với TSMC (2330-TW)

Startup Mỹ Substrate ngày 30/5/2026 công bố đột phá trong công nghệ in thạch bản tia X, tuyên bố công cụ của họ có giá 50 triệu USD, so với gần 500 triệu USD cho hệ thống quang khắc EUV khẩu độ cao của ASML Holding NV (ASML-US). Công ty dự định xây dựng nhà máy sản xuất wafer riêng và cung cấp dịch vụ đúc, trực tiếp thách thức Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (2330-TW) và Samsung Electronics.

Substrate cho biết đã tích hợp máy gia tốc hạt nhỏ gọn vào hệ thống in thạch bản, đạt khả năng in chi tiết 12 nanomet với độ biến thiên toàn wafer khoảng 0,25 nm. Phương pháp phơi sáng một lần có thể loại bỏ các bước tạo mẫu phức tạp. Tuy nhiên, công nghệ này đòi hỏi chất cản quang, mặt nạ và vật liệu quang học hoàn toàn mới, các chuyên gia ước tính phải mất ít nhất năm năm nữa mới có thể sản xuất hàng loạt.

Trong khi công nghệ in thạch bản EUV mất hơn một thập kỷ để thương mại hóa, mục tiêu của Substrate là thay thế toàn bộ bước in thạch bản. Công ty không đơn độc trong việc khám phá nguồn sáng từ máy gia tốc hạt, nhưng tham vọng tích hợp sản xuất theo chiều dọc khiến họ khác biệt so với các hãng khác chỉ tìm cách nâng cấp công cụ EUV hiện có.