Infineon đầu tư 1,1 tỷ euro xây cơ sở sản xuất GaN 300mm đầu tiên tại Villach

Infineon Technologies (IFNNY) ngày 27/10 cho biết sẽ xây dựng cơ sở sản xuất hàng loạt chất bán dẫn công suất GaN 300mm (12 inch) đầu tiên trên thế giới tại nhà máy Villach, Áo, với cam kết đầu tư khoảng 1,1 tỷ euro (1,23 tỷ USD) đến năm 2034. Dự kiến bắt đầu sản xuất vào cuối năm 2027.

Ủy ban châu Âu đã phê duyệt 319 triệu euro viện trợ nhà nước theo khuôn khổ Đạo luật Chip châu Âu, nhưng cam kết chính thức vẫn chờ cơ quan chức năng Áo. Dự án nâng cấp hạ tầng phòng sạch hiện hữu thay vì xây mới.

Nhà máy Villach có khoảng 4.800 nhân viên và đã sản xuất wafer GaN 200mm. Wafer 300mm cho số chip mỗi tấm cao gấp khoảng 2,3 lần, có thể giúp giảm chi phí trên mỗi chip, tùy thuộc vào tỷ lệ đạt chuẩn và công suất huy động. Infineon đã sản xuất wafer GaN 300mm đầu tiên vào năm 2024.

Theo Yole Group, thị trường thiết bị công suất GaN toàn cầu đạt khoảng 588 triệu USD năm 2025, tăng 63% so với 361 triệu USD năm 2024. Innoscience dẫn đầu với thị phần khoảng 31%; Infineon đứng thứ hai với khoảng 16%, tăng từ vị trí thứ năm (11,2%) năm 2024.