Micron khởi động sản xuất DDR4, LPDDR4 tại nhà máy Virginia; TrendForce: Nguồn cung không tăng, thiếu hụt tiếp diễn

Ngày 26/5/2026, Micron Technology Inc. (MU) cho biết đã bắt đầu sản xuất bộ nhớ LPDDR4 và DDR4 tiến trình 1α nm tại Fab 6 ở Manassas, Virginia, phục vụ khách hàng ô tô, quốc phòng, công nghiệp, mạng và y tế. Hãng nghiên cứu TrendForce nhận định động thái này là tái phân bổ năng lực nội bộ và không mở rộng tổng nguồn cung DDR4.

Theo TrendForce, việc tăng cường sản xuất này phù hợp với chính sách đưa sản xuất trở lại Mỹ và sẽ đẩy tổng số wafer khởi động của Fab 6 lên gấp 1,5 lần so với quý 2/2026 vào quý 4/2027. Hoạt động sản xuất hàng loạt chip 1α nm sẽ bắt đầu cuối năm 2026 và tăng gấp bốn lần vào năm 2027, trong khi các dây chuyền cũ tại nhà máy OMT của Micron sẽ bị loại bỏ. Micron chuyển thiết bị từ OMT và bổ sung công cụ mới nhằm nâng cấp quy trình.

Tỷ trọng DDR4 trong tổng sản lượng DRAM của Micron theo đó sẽ giảm xuống còn khoảng 7% vào năm 2026 và tiếp tục giảm hàng năm. TrendForce dự báo DDR4 sẽ duy trì tình trạng thiếu hụt trong suốt năm 2026 với giá tăng do nhu cầu mạnh từ mảng mạng. Công suất toàn cầu sẽ phân chia: OMT tập trung vào DDR5 và HBM, Fab 6 tập trung vào sản phẩm ngách, vòng đời dài.