Micron từ chối kiến trúc DRAM 4F², duy trì lộ trình 6F² tiến tới 3D DRAM

Chủ tịch kiêm CTO Scott DeBoer của Micron Technology (MU) cho biết tại hội thảo kỹ thuật ngày 21 tháng 10 rằng công ty sẽ không áp dụng kiến trúc DRAM 4F² mà CXMT của Trung Quốc đang theo đuổi, thay vào đó sẽ giữ thiết kế 6F² và chuyển thẳng sang 3D DRAM.

Chủ tịch Cao Kanyu của CXMT (688825-CN) tiết lộ ngày 10 tháng 10 rằng công ty dự kiến ra mắt DDR5 RDIMM thế hệ tiếp theo trên kiến trúc 4F² vào cuối năm nay, giảm diện tích chip khoảng 30% so với 6F² phổ biến và tăng sản lượng trên mỗi wafer.

DeBoer cho biết khoảng cách tụ điện (capacitor pitch), chứ không phải cấu trúc transistor, quyết định liệu lợi ích về mật độ và chi phí có duy trì được hay không. Các nhà phân tích UBS lưu ý Micron lo ngại về lộ trình thu nhỏ hạn chế của transistor kênh dọc, trong khi Melissa Weathers của Deutsche Bank cho biết Micron đã đánh giá 4F² trong nhiều thập kỷ và xây dựng nguyên mẫu trước khi từ chối.

Samsung (005930KS) được cho là đang cân nhắc áp dụng 4F² tại nút 0a nanomet vào cuối năm 2028. Nomura dự báo cả 4F² và 3D DRAM sẽ không có tác động đáng kể trước năm 2028, đồng thời dự đoán CXMT sẽ sản xuất hàng loạt vào năm 2027-2028. Dữ liệu của TrendForce cho thấy mức tăng giá hợp đồng DRAM thông thường đang chậm lại, dự kiến còn 10%-15% trong quý IV, từ mức 93%-98% trong quý I năm 2026.