Micron phát triển HBM dọc nhắm sản xuất năm 2028, đối mặt đánh đổi tản nhiệt

Micron Technology (MU) đang phát triển bộ nhớ băng thông cao xếp chồng dọc (vHBM), xếp trực tiếp DRAM lên trên bộ xử lý để rút ngắn đường dẫn dữ liệu giữa bộ nhớ và đơn vị tính toán, hướng tới sản xuất hàng loạt vào năm 2028, theo lộ trình công nghệ của công ty được trình bày tại một hội thảo trực tuyến gần đây.

Kiến trúc này hứa hẹn băng thông cao hơn cho các khối lượng công việc suy luận AI nhưng cản trở tản nhiệt của bộ xử lý, một sự đánh đổi mà chuyên gia phân tích cấp cao Karl Ackerman của BNP Paribas cho rằng có thể hạn chế việc triển khai. Ông dự đoán vHBM sẽ được sử dụng song song với HBM dựa trên interposer thông thường thay vì thay thế nó, với các nhà sản xuất hệ thống lựa chọn cấu hình dựa trên nhu cầu băng thông, giới hạn nhiệt và độ phức tạp đóng gói.

Lộ trình của Micron kéo dài đến HBM6 vào năm 2030 và bao gồm vEIM, xếp chồng bộ nhớ LPDDR tiêu thụ điện năng thấp trên chip logic của thiết bị biên, nhắm mục tiêu băng thông 2TB mỗi giây ở mức dưới 1 picojoule mỗi bit, cũng dự kiến sản xuất vào năm 2028. Lợi nhuận ngắn hạn vẫn được thúc đẩy bởi HBM, DRAM máy chủ và SSD doanh nghiệp, với Ackerman lưu ý Micron kỳ vọng tình trạng thiếu cung sẽ kéo dài ít nhất hai năm nữa.