英飞凌斥资11亿欧元在菲拉赫建全球首座300毫米氮化镓量产基地

英飞凌科技（IFNNY）10月27日宣布，将在奥地利菲拉赫工厂建设全球首座300毫米（12英寸）氮化镓功率半导体量产基地，到2034年投资约11亿欧元（约合12.3亿美元）。量产计划于2027年底启动。

欧盟委员会已根据《欧洲芯片法案》框架批准3.19亿欧元国家援助，但最终承诺尚待奥地利当局确认。该项目将升级现有洁净室设施，而非新建厂房。

菲拉赫工厂现有约4800名员工，已生产200毫米氮化镓晶圆。300毫米晶圆每片产出芯片数量约为200毫米的2.3倍，有望降低单颗芯片成本，但具体取决于良率和产能利用率。英飞凌于2024年产出首片300毫米氮化镓晶圆。

据Yole Group数据，2025年全球氮化镓功率器件市场规模约5.88亿美元，较2024年的3.61亿美元增长63%。英诺赛科以约31%份额领先；英飞凌以约16%位居第二，排名从2024年的第五（11.2%）上升。