英特尔CTO：先进晶圆产能翻十倍不现实，供应链存瓶颈

英特尔首席技术官Pushkar Ranade表示，在现有半导体制造设备装机量下，先进节点晶圆产量翻十倍不现实，产能翻倍更可行。他在10月22日发布的Dwarkesh Podcast晶圆厂参观及高管访谈中发表上述言论。

Ranade指出，瓶颈不仅限于芯片设计和工艺微缩，还涉及极紫外光刻、刻蚀和薄膜沉积设备的上游供应，这些供应必须与产能扩张同步增长。英特尔高管还详述了开发三年多、涉及约2000道制造工序的14A工艺，以及High-NA EUV、背面供电、CFET和混合键合等工作。

在谈及与台积电（2330-TW）的竞争时，Ranade表示晶圆厂规模、良率、客户生态系统和按时交付与晶体管密度同样重要。他说英特尔在技术上具有竞争力，但必须缩小生产规模差距，并补充称行业必须重新设计洁净室和晶圆厂以遏制成本上升。