美光弗吉尼亚厂启动DDR4/LPDDR4生产，集邦：供给未扩、短缺持续

美光科技 (MU) 5月26日宣布，已开始在弗吉尼亚州马纳萨斯的Fab 6厂量产1α纳米LPDDR4与DDR4存储器，面向汽车、国防、工业、网络及医疗客户。集邦咨询表示，此举属内部产能调配，并不会扩大DDR4整体供给。

集邦称，此次扩产配合美国回岸政策，将使Fab 6月投片量到2027年第四季提升至2026年第二季的1.5倍。1α纳米芯片年底步入量产，2027年产量翻四倍，同时美光OMT厂旧线将淘汰。设备自OMT厂移入，并添购新机台进行制程升级。

美光DDR4占DRAM总产出比重将因此于2026年降至约7%，其后逐年下滑。集邦预期，DDR4今年全年将维持短缺，价格受网络设备需求强劲支撑而走升。全球产能分工明显：OMT厂聚焦DDR5与HBM，Fab 6则主攻利基型、长生命周期产品。