美光拒绝4F² DRAM架构，坚持6F²路线迈向3D DRAM

美光科技（MU）总裁兼首席技术官斯科特·德博尔在10月21日的技术研讨会上表示，美光不会采用中国长鑫存储正在追求的4F² DRAM架构，而是保留其6F²设计，并直接迈向3D DRAM。

长鑫存储（688825-CN）总裁曹堪宇于10月10日透露，公司计划在年底前推出基于4F²架构的下一代DDR5 RDIMM，与主流的6F²相比，芯片面积减少约30%，并提高每片晶圆的产出。

德博尔表示，决定密度和成本收益能否持续的是电容间距，而非晶体管结构。瑞银分析师指出，美光担心垂直沟道晶体管的微缩路径有限，而德意志银行的梅丽莎·韦瑟斯表示，美光对4F²进行了数十年的评估，并在拒绝之前已构建了原型。

据报道，三星（005930KS）正考虑在2028年底前在其0a纳米节点采用4F²。野村预计，2028年之前4F²或3D DRAM都不会产生实质性影响，并预测长鑫存储将在2027-2028年实现量产。TrendForce数据显示，通用DRAM合约价格涨幅预计将从2026年第一季度的93%-98%放缓至第四季度的10%-15%。