美光研发垂直HBM 目标2028年量产 面临散热权衡

美光科技（MU）正在研发垂直高带宽内存（vHBM），将DRAM直接堆叠在处理器上方，以缩短内存与计算单元之间的数据路径。公司技术路线图显示，目标是在2028年实现量产。

该架构有望为AI推理工作负载提供更高带宽，但会阻碍处理器散热。法国巴黎银行高级分析师卡尔·阿克曼表示，这一权衡可能限制其部署。他预计vHBM将与传统的基于中介层的HBM并存使用，而非取代后者，系统制造商将根据带宽需求、热限制和封装复杂度选择配置。

美光的路线图延伸至2030年的HBM6，并包括vEIM，即将低功耗LPDDR内存堆叠在边缘设备逻辑芯片上，目标是在每比特不到1皮焦耳的情况下实现每秒2TB带宽，同样计划于2028年量产。近期盈利仍由HBM、服务器DRAM和企业级SSD驱动。阿克曼指出，美光预计供应紧张至少还将持续两年。