散户追捧芯片敞口，Roundhill内存ETF DRAM成史上增长最快新ETF

据路透5月13日援引市场数据和分析师报道，Roundhill旗下Memory ETF（代码：DRAM）自2026年4月2日上市以来，资产规模已超过60亿美元，创下ETF首发后最快增长纪录。

DRAM上市10个交易日资产规模即突破10亿美元。5月8日，全球芯片股上涨后，该基金单日净流入10亿美元。分析师称，投资者正把DRAM视为布局AI数据中心带动的存储芯片需求的更简便工具，其持仓覆盖韩国SK海力士、三星电子、美光以及其他亚洲供应商。

Vanda Research数据显示，5月11日散户买入DRAM规模达5500万美元，为该基金上市以来最大单日散户资金流入。5月12日，受芯片股回调拖累，DRAM下跌7%。这显示，在上行趋势尚未逆转的同时，市场对该交易过度拥挤的担忧升温。