DRAM供需失衡延续至2028：AI驱动需求压制价格下行

分析师预计，即便2027年后新产能逐步释放，DRAM供需失衡与价格波动也将延续至2028年。AI数据中心的高需求、HBM持续升级及价格粘性将使价格维持在较高区间。

AI驱动需求显著超过供应，年内价格已上行约80%–90%。AI加速卡与GPU挤压了本应分配给PC与消费电子的产能。鉴于单厂投资超150亿美元且交期长，行业扩产谨慎，全球约2000家新数据中心的建设将新增约20%的数据中心容量，进一步放大供需缺口。

厂商加速转向HBM，其在GPU封装中的占比或超50%；2025年至2028年市场规模由约3500亿美元扩张至约10000亿美元，而供给或难跟上需求。多家大厂将于2027–2028年投产（如Micron在新加坡与PSMC、SK Hynix在Incheon与West Lafayette、三星在Pyeongtaek），但英特尔高管陈厥武表示，2028年前难以看到显著缓解。

价格下行将缓慢且乏力，HBM4与先进堆叠技术（如Advanced MR-MUF、Hybrid bonding）推高制程极限并消耗更多硅，除非AI投资增速放缓，DRAM价格或在2028年前保持高位。