三星、SK海力士逆势升级中国工厂 量产先进NAND芯片

据四位知情人士透露，三星电子和SK海力士正在升级其中国工厂，以生产更先进的NAND存储芯片，旨在抵御来自中国长江存储的竞争，并满足AI驱动的需求。

其中一位人士称，三星西安工厂约占其全球NAND产量的40%，正转换生产286层V9芯片，项目内部代号“Monami”，目标12月达到每月5000片晶圆，2027年12月达到4万片。SK海力士计划在大连工厂生产240层或更高层数的NAND，目前为192层。

这两家公司每年都需要获得美国许可证才能在中国安装美国设备，而美国商务部工业与安全局在2025年表示不打算发放技术升级或产能扩张的许可证。三星表示，此次升级符合美国出口法规，且未扩大产能。

根据Omdia的数据，长江存储二季度在中国NAND市场占有率达38.5%，超过三星的33.5%。SK海力士的份额降至17%。