先进封装成AI芯片瓶颈：台积电CoWoS-L领先英特尔EMIB-T至2028年

先进封装已成为AI芯片竞争的战略制高点。据TrendForce，尽管英特尔力推EMIB-T替代方案，台积电CoWoS-L预计到2028年仍将是AI加速器的主流解决方案。

台积电CoWoS硅中介层从2016年约1.5倍光罩尺寸（约1287mm²）增长至当前3.3倍（约2831mm²）。公司计划2026年达5.5倍（约4719mm²），2028年达9.5倍，2029年超过14倍。CoWoS-L在重分布层内嵌本地硅互连桥，目前5.5倍光罩尺寸已量产，客户良率超过98%，部分达99%。

英伟达和AMD已采用CoWoS-L；Meta的MTIA 400计划2026年量产，AWS和微软定制ASIC预计2027年跟进。英特尔EMIB-T增加硅通孔并省去昂贵的大中介层，在ECTC 2026上展示25微米凸点间距和120x120mm封装尺寸。TrendForce预计谷歌2027年采用EMIB-T，AWS正在测试。